一、揚杰MG50P12E2 IGBT模塊規(guī)格參數(shù)

　　產(chǎn)品類型：IGBT模塊

　　產(chǎn)品型號：MG50P12E2

　　產(chǎn)品描述：1200V 50A

　　產(chǎn)品封裝：E2

　　產(chǎn)品品牌：揚杰

　　反向重復峰值電壓VRRM：1200V

　　正向平均電流IF：50A

　　飽和壓降 VCE： 1.9V

　　工作溫度范圍：-40℃~+150℃

　　二、揚杰MG50P12E2 IGBT模塊規(guī)格書

　　三、揚杰MG50P12E2 IGBT模塊的性能特點

　　1、高性價比：相較于其他類似產(chǎn)品，揚杰MG50P12E2 IGBT模塊具有更高的性價比。

　　2、高可靠性：具有高抗電壓、高抗電流能力，同時具有反向恢復能力。

　　3、相容性強：適用于各種高功率電子應用，如電力逆變器、電機驅(qū)動器等。

　　4、使用方便：具有簡單的結(jié)構(gòu)設計，易于使用和維護。

　　四、揚杰MG50P12E2 IGBT模塊的應用領域

　　1、電力逆變器：能夠幫助逆變器實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換，從而節(jié)約能耗。

　　2、電機驅(qū)動器：能夠幫助電機驅(qū)動器實現(xiàn)更高效的功率輸出，提高電機轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。

　　3、其他高功率電子應用：適用于各種高功率電子應用領域。

　　揚杰MG50P12E2 IGBT模塊是一種具有優(yōu)秀性能的電力半導體裝置，廣泛應用于各種高功率電子應用領域中。它具有高性價比、高可靠性、相容性強、使用方便等特點，并且在技術指標上表現(xiàn)卓越。如果您正在尋找一款高性能的IGBT模塊，那么揚杰MG50P12E2 IGBT模塊將是您的不二選擇。